CXDM3069N TR的供应商，CXDM3069N TR规格参数，CXDM3069N TR的PDF资料

CXDM3069N TR /MOSFET 30Vds N-Ch Enh FET 12Vgs 40A 1.2W 6.9A

CXDM3069N TR的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-89

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6.9 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:CXDM

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Central Semiconductor

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

零件号别名:CXDM3069N PBFREE TR

单位重量:130.500 mg

CXDM3069N TR的供应商,可免费索样

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深圳市芯幂科技有限公司	CXDM3069N TR PBFREE	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司	CXDM3069N TR PBFREE	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CXDM3069N TR	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
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型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
CXDM3069N TR	MOSFET 30Vds N-Ch Enh FET 12Vgs 40A 1.2W 6.9A	Central Semiconductor	418.72 Kbytes	共3页	无
CXDM3069N TR PBFREE	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89	Central Semiconductor Corp	418.12 Kbytes	共3页	无
CXDM3069N TR PBFREE	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89	Central Semiconductor Corp	418.12 Kbytes	共3页	无

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